2020年7月16日上市，688981   中芯国际，中芯国际集成电路制造有限公司目前市值3344亿元，2022年中报营业收入245.92亿元，净利润77.87亿元，研究经费22.94亿元。

1）发明名称：半导体结构及其形成方法   申请号：2021104764885   申请日2021年4月29日    技术效果：半导体器件降低闪烁噪声的同时，性能也较好。

2）发明名称：电路检测方法    申请号：2021104746675，申请日2021年4月29日

技术效果：提高了待测存储电路的最小工作电压的检测效率。

3）发明名称：半导体结构及其形成方法   申请号：2019103028726，申请日：2019年4月16日，技术效果：单位面积的基底上，MIM电容的电容值更大。

4）发明名称：闪存器件及其制作方法    申请号：201910891254X，申请日：2019年9月19日   技术效果：提高了浮置栅极和控制栅极之间的接触面积，有效提高了器件的耦合比，进而改善了器件的性能。

5）发明名称：半导体结构及其形成方法    申请号：2021104650761，申请日：2021年4月28日    技术效果：栅极结构环绕覆盖沟道层，增大了沟道层中用于作为沟道的面积。

6）发明名称：半导体结构及其形成方法    申请号：2021104535797，申请日：2021年4月26日 技术效果：第一栅电极层和第一源漏掺杂层被第二晶体管结构完全遮挡的概率较低，从而易于通过插塞将第一晶体管结构中第一栅电极层和第一源漏掺杂层的电性引出。

7）发明名称：半导体结构及其形成方法    申请号：2021104653168，申请日：2021年4月28日   技术效果：栅极结构环绕覆盖沟道层的各个表面，增大了沟道层中用于作为沟道的面积。

8）发明名称：半导体结构及其形成方法    申请号：2021104620785，申请日：2021年4月27日   技术效果：每层金属层的电极端不需要通过较粗的极板连接，可以减少每层金属层的电极端面积，从而可以增加极板的数量，进而提高MOM电容的密度。

9）发明名称：半导体结构及其形成方法    申请号：2021104664961，申请日：2021年4月28日   技术效果：使用隔离层来隔离鳍片和衬底，可以避免鳍片的根部栅极无法控制的位置形成并联的寄生晶体管，从而避免器件开启电压波动或漏电流增加，进而提高器件性能。

10)发明名称：半导体结构及其形成方法 ,申请号：2021104606754，申请日：2021年4月27日   技术效果：第一鳍部和第二鳍部内的掺杂离子浓度稳定，提高了形成的器件的沟道区内掺杂离子浓度的稳定性，从而提高器件的性能。

有没有发现，每个发明采用半导体结构及其形成方法，可以让对手必须把每个文章看完了，才知道干什么技术内容，半导体行业的工艺改进，潜力巨大。以上专利可以进一步转化为标准必要专利