【科创定位】688270 臻镭科技专利技术保护趋势

2022年1月27日上市，688270  臻镭科技，浙江臻镭科技股份有限公司目前市值139.79亿元，2022年三季度营业收入1.49亿元，净利润7141万元，研究经费4465万元，所属行业：半导体-模拟芯片设计。

主营产品: 公司专注于集成电路芯片和微系统的研发、生产和销售，并围绕相关产品提供技术服务。公 司主要产品包括终端射频前端芯片、射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC、电源管理芯片、微系 统及模组等，为客户提供从天线到信号处理之间的芯片及微系统产品和技术解决方案。

1）发明专利：贴装芯片结构及其制备方法 申请号：CN202110309062.0 申请日：2021年3月23日 技术效果：本发明工艺简单，可以解决难以在芯片底部形成有效底部填充的问题，有利于解决填充气泡的问题，提高工艺效率及产品良率。本发明的方式还可以有效解决对于某一芯片只需要在特定区域填充的问题，以对芯片底部灵活填充。

2）发明专利：新型芯片表面贴装结构及其制备方法  申请号：CN202110286099.6 申请日：2021年3月17日 技术效果：本发明基于侧壁补偿保护层和辅助补偿层的设计，在表面贴装的芯片边缘做胶体密封，在保护待键合芯片的同时可以为后续的种子层连续提供保证，使后续RDL的电镀工艺得以进行；进一步可以在胶体固化后形成台阶，形成有效的桥接；另外，基于本发明的工艺，还可以实现采用用点胶工艺形成侧壁补偿保护层，简化工艺节约成本；同时，本发明的工艺还可以适用于在同一载片上集成任何需要厚度的芯片的贴装。

3）发明专利：一种腔体谐振抑制结构及应用  申请号：CN202010822430.7 申请日：2021年3月1日 技术效果：本发明的所述腔体谐振抑制结构实现了硅转接板内嵌大尺寸多通道单片集成射频芯片结构的腔体谐振抑制，以及空气腔内嵌射频芯片的超宽带匹配和低插损传输，显著改善了相控阵幅相控制精度、带内幅度平坦度和带内相位线性度受腔体谐振的影响。

4）发明专利：串接螺旋带状线的多TSV毫米波垂直互连结构  申请号：CN202010654270.X 申请日：2020年7月9日 技术效果：本发明提供了可支持直流至Ka波段的三维异构集成应用的多TSV垂直互连结构。  

5）发明专利：一种三维异构集成综合射频前端微系统  申请号：CN202010376802.8  申请日：2020年5月7日， 技术效果：本发明可解决现有技术微系统集成度低的问题。  

6）发明专利：一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法  申请号：CN201911387767.3 申请日：2019年12月30日 技术效果：本发明提供了加工成本低，降低芯片的损伤可能性，提高处理工艺可靠性的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法。   

7）发明专利：一种用于射频微系统垂直互联的混合基通孔微同轴结构及其制作方法  申请号：CN201911387768.8 申请日2019年12月30日 技术效果：本发明提供了避免环状孔的刻蚀与填充，从而大大减少缺陷与失效的一种用于射频微系统垂直互联的混合基通孔微同轴结构及其制作方法。 

8）发明专利：基于ARM处理器的多通道TR组件测试系统 申请号：CN201911327271.7 申请日：2019年12月20日 技术效果：本发明提供了可以高效、灵活的实现TR组件的收发状态控制，自动完成测试通道的选择，并根据测试指标要求，快速切换测试链路，选择相应的测试设备的基于ARM处理器的多通道TR组件测试系统。

9）发明专利：一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法  申请号：CN201911197944.1 申请日：2019年11月29日 技术效果：本发明提供了可以有力的提高结构精度，提高生产效率，减小工艺难度的一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法。    

10）发明专利：一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法  申请号：CN201911197687.1 申请日：2019年11月29日 技术效果：本发明提供了一种可以解决结构精度问题与结构缺陷问题的高效制作微系统模组的深硅空腔刻蚀方法。   

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