【科创定位】688432 有研硅专利技术保护趋势

2022年11月10日上市，688432  有研硅，有研半导体硅材料股份公司目前市值198.37亿元，2022年三季度营业收入9.25亿元，净利润3.52亿元，研究经费6029万元，所属行业：半导体-半导体材料，最赚钱业务：刻蚀设备用硅材料。

主营产品: 有研硅目前主要从事硅及其它半导体材料、设备的研究、开发、生产与经营,提供相关技术开发、技术转让和技术咨询服务。主要产品包括集成电路刻蚀工艺用大直径硅单晶及制品、集成电路用硅单晶及硅片、区熔硅单晶及硅片等。

1)发明专利：一种精准控制单晶生长界面的方法  申请号：CN202111680189.X  申请日：2021年12月30日 技术效果：随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。  

2）实用专利：一种多晶硅棒清洗装置  申请号：CN202123367219.X  申请日：2021年12月29日 技术效果：可实现重量在70150kg范围内的多晶硅棒料1秒内完成从酸槽进入水槽的过程，可完全避免表面沾污氧化，提高了多晶硅棒料清洗质量。

3）发明专利：一种多晶硅棒清洗装置及方法  申请号：CN202111638387.X  申请日：2021年12月29日 技术效果：可实现重量在70150kg范围内的多晶硅棒料1秒内完成从酸槽进入水槽的过程，可完全避免表面沾污氧化，提高了多晶硅棒料清洗质量。

4）实用专利：一种用于直拉硅单晶多次加掺掺杂剂的装置  申请号：CN202123382045.4  申请日：2021年12月29日 技术效果：通过籽晶插入液面掺杂，过程简单，耗时短，不会影响石英坩埚使用寿命。该装置加掺掺杂剂不会存在炸裂等风险，除了掺杂剂仓外，籽晶可实现多次使用。   

5）发明专利：一种区熔硅单晶的放肩方法  申请号：CN202111638491.9  申请日：2021年12月29日， 技术效果：采用本发明的方法可以避免一次拉晶失败后多晶的再次磨锥加工，减少多晶损失，提升生产效率，降低生产成本。  

6）发明专利：一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法  申请号：CN202111626097.3  申请日：2021年12月28日 技术效果：本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。

7）发明专利：一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法  申请号：CN202111616066.X  申请日2021年12月27日 技术效果：（1）采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为10005000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为515rpm，埚转为0.13rpm；控制晶体生长时液面位置+/0.5mm波动范围；（2）进行滚磨及线切割；（3）进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，10003000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；（4）进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在515μm，酸腐蚀去除量控制在1520μm；（5）进行抛光，抛光转速控制在3050rpm，压力控制在300500kg，化学液浓度控制在1∶151∶30，pH值控制在913，蜡膜厚度控制在13μm；（6）进行清洗检测；（7）进行边缘形状评估。   

8) 发明专利：8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装及方法  申请号：CN202111608317.X  申请日：2021年12月24日 技术效果：本发明可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。      

9）实用专利：8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装  申请号：CN202123298154.8 申请日：2021年12月24日 技术效果：本实用新型可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。  

10）发明专利：一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法  申请号：CN202111593665.4 申请日：2021年12月23日 技术效果：本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。     

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